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CEPEA：中国电子专用设备工业协会行业简讯

CEPEA：中国电子专用设备工业协会行业简讯

为贯彻落实党的二十大和中央经济工作会议的精神，更好发挥电子信息制造业在工业行业中的支撑、引领、赋能作用，助力实现工业经济发展主要预期目标，工业和信息化部、财政部近日联合印发《电子信息制造业 2023-2024 年稳增长行动方案》。

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2023

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减少在4H-SiC键合衬底上制造的PiN二极管的正向偏压退化

减少在4H-SiC键合衬底上制造的PiN二极管的正向偏压退化

本期话题: 减少在4H-SiC键合衬底上制造的PiN二极管的正向偏压退化 ◎介绍 - 什么是4H-SiC键合衬底？ - 4H-SiC 双极器件中的正向偏压退化 ◎实验性 - 本研究中使用的 PiN 二极管 - 实验过程

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2023

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韩国功率半导体商用化中心及重点企业

韩国功率半导体商用化中心及重点企业

近日，韩国STI宣布将在釜山市建设一个年产3万片SiC晶圆的新工厂，以支持韩国车规SiC的本土供应。据介绍，STI将投资3000亿韩元（约16.4亿人民币），在釜山功率半导体细分专业园区建立SiC材料生产工厂。该项目的一期工程占地超16000平方米，预计明年下半年建成。STI是一家研发半导体石英玻璃电炉、SiC半导体生长炉等设备的公司。目前STI自主研发了SiC PVT生长炉，成功的开发出纯度为99.9998%的5N级锭粉，实现了韩国关键半导体材料SiC锭粉的本地化。

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2023

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深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜

深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜

近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化镓（GaN）的3.39 eV。更宽的禁带宽度意味着电子从价带跃迁到导带需要更多的能量，因此氧化镓具有耐高压（极强的临界场强）、效率（更低导通电阻）、大功率、抗辐照等特性。基于氧化镓的功率电子器件在新能源汽车、轨道交通等领域具有潜在应用，且氧化镓的光电探测器在导弹预警、高压电网电晕检测等领域展现出重要的潜力，如下图1。 图1. 超宽禁带氧化镓半导体在功率电子器件、日盲紫外光电探测和深紫外透明电极方面的应用。

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2023

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10亿GaN基大功率蓝光半导体激光器项目开工！

10亿GaN基大功率蓝光半导体激光器项目开工！

据长江日报报道，9月14日，2023年三季度武汉市亿元以上重大项目集中开工活动举行。三季度武汉市共173个重大项目集中开工，总投资1465.7亿元。其中，江夏区分会场20个重大项目集中开工，总投资135.4亿元，其中一个项目是武汉鑫威源大功率蓝光半导体激光器产业化项目。

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